研究方向:

磁学与磁性材料:1、柔性自旋电子学器件;2、自旋霍尔效应;3、交换偏置效应。

1988年,巨磁电阻效应的发现标识着自旋电子学的诞生,经历了近30年的发展,自旋电子学器件已经广泛应用于存储、传感等领域,并因此获得2007年诺贝尔物理学奖。近年来,自旋电子学随着电子工业的发展呈现了一些新的趋势。例如,柔性可穿戴设备的快速发展提出了自旋电子学器件柔性化的要求,如何在弯曲或拉伸等形变状态下,通过抑制磁弹耦合效应,使得器件性能不发生改变是柔性自旋电子学器件发展中面临的重要挑战;由于可以有效降低功耗,基于磁性绝缘体的自旋电子学器件引起了人们的广泛关注,通过自旋的移动可以实现信息的传递,从而取代传统的高功耗电流输运承载信息的模式;传统自旋电子学器件使用多晶铁磁/反铁磁交换偏置层实现对铁磁磁矩的钉扎,单晶铁磁/反铁磁交换偏置异质结有着理想的界面原子与磁矩的排列,成为研究交换偏置效应的最理想体系。我们在国家自然科学基金的支持下,开展自旋电子学器件的柔性化,自旋流导致的磁电阻效应,单晶偏置异质结的界面交换耦合机制与调控的研究。